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NDS8839H中文资料

  • 大小：350.59KB
  • 厂家：FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
  • 描述：Complementary MOSFET Half Bridge
  • 制造商：Fairchild Semiconductor
  • 晶体管极性：N and P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：30 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：5.7 A, - 4 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.045 Ohms
  • 配置：Dual Common Quad Drain
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOIC-8 Narrow
  • 封装：Reel
  • 下降时间：10 ns, 19 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：2.5 W
  • 上升时间：13 ns, 20 ns
  • 典型关闭延迟时间：29 ns, 40 ns

NDS8839H供应商

更新时间:2022-12-31 06:03:27
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